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上海微电子能在2025年前攻克7nm光刻机吗?

作者:Anita 发布时间: 2022-06-14 20:36:53

简介:】这是一个误区,其实生产28纳米芯片和7纳米芯片的光刻机可以是同一种光刻机,只是使用光刻机的方式有变化而已。台积电昔日就是用相同的浸入式ArF光源的DUV光刻机,生产出来了从28

这是一个误区,其实生产28纳米芯片和7纳米芯片的光刻机可以是同一种光刻机,只是使用光刻机的方式有变化而已。台积电昔日就是用相同的浸入式ArF光源的DUV光刻机,生产出来了从28纳米到7纳米的所有芯片。只不过现在有了EUV光源的光刻机,在生产7纳米芯片时效率更高,于是台积电就在许多工序改用了EUV光刻机,但并不是说浸入式ArF光源的DUV光刻机就不被使用到7纳米芯片工艺的工序中了。

如此一来,这个问题就简化成为,只要上海微电子攻克了生产28纳米的光刻机,理论上来说,通过工艺改进,不计成本的话,7纳米芯片也是可以被生产出来的。这理论上也算是攻克了7纳米的工艺吧。所以问题就变成了2025年前攻克28纳米光刻机的可能性了。

真正7纳米芯片的工艺问题是代工厂的责任,探索台积电已经走过的技术路线,用浸入式ArF光源的DUV光刻机的多次曝光工艺来生产7纳米芯片。这就不是我们今天讨论的关键了。

很显然,2021年就不用指望了。因为上海微电子的28纳米光刻机没有达到合格标准,需要2022年继续努力了。但即便2022年这台光刻机达到了标准,获得了通过,也还有一个严峻的问题摆在了上海微电子面前。那就是浸入式ArF光源的问题。现在这台样机的光源,用的是日本进口的浸入式ArF光源。那么,在日后量产的时候,这个光源能不能稳定供货就是一个重大问题了。国内光源提供商“科益虹源”,已经拿出来了40w 4kHz ArF光源的样机,但主流的ArF浸没式光刻机需要60w 6kHz等级的光源,所以也就是说国内的光源目前还没办法代替进口光源了。

至此,这台上海微电子的样机能不能变成批量生产的产品就非常不确定了,因为关键子系统还处于攻关当中,无法确认研发出子系统的时间节点。

也就是说,现在上海微电子的这台28纳米光刻机,就是走的歼20路子。时间不等人,歼20就不等涡扇15发动机了,先用进口的俄罗斯AL-31F发动机顶上用着。现在上海微电子可不就是先用日本光源顶上用着嘛。至于中国自己的光源,就等着啥时候能研发出来吧。

以目前的国际大环境,歼20如果还想用俄罗斯发动机,就还是能找到货源的。但中国如果想获得一个稳定的浸入式ArF光源的难度有多大?我想大家都明白。所以,这个浸入式ArF光源的紧迫性,甚至远远超过对涡扇15的需求,就肯定没错了。

也就是说,哪怕2022年,上海微电子攻克了这个28纳米光刻机技术,但横在量产前面的光源问题,能不能在2025年前解决呢?我想没人知道吧。现在科益虹源的官网网站都打不开了,所以没人知道他们的进展如何了,现在网上真是一个字儿都没有。

所以,说什么上海能不能在2025年前攻克7纳米光刻机,仅仅一个光源问题就说明了一切。

按道理,28nm光刻机22年年初就通过国家验收,前两个月的验收失败了,子系统没问题,整合上出了问题,28nm光刻机就可以做7nm芯片,台积电第一代7nm就是28nmDUV光刻机做的,中芯现在风险试产的7nm芯片也是通过28nm光刻机多次曝光,就是良率偏低,对应的就是成本偏高

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