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量产12nm芯片!上海这一举动,能否推动国内半导体发展?

作者:Anita 发布时间: 2022-06-15 03:12:16

简介:】中芯国际2020年实现12nm量产,2021年会在提升良率和产量上下功夫。中芯上海2020年底产能是1.5万片/月,按每片可切300-500片芯片,年产能7200万片逻辑芯片。
目前展锐t7510,平头哥

中芯国际2020年实现12nm量产,2021年会在提升良率和产量上下功夫。中芯上海2020年底产能是1.5万片/月,按每片可切300-500片芯片,年产能7200万片逻辑芯片。

目前展锐t7510,平头哥的玄铁910,龙芯3a5000,兆芯kx6000,飞腾的ft2000等代表国内先进水平的逻辑芯片,基本用12/14nm工艺,这些厂商年销100万到几百万片,完全可以支撑,另外这些芯片至少有两年的热卖期。然后大家升级到7nm(非euv),再干两年,国产euv光刻机就出来了,这样5年时间,国产半导体供应链就成熟了。

其实特别建议华米ov的低端手机能用展锐的soc,展锐的工艺可混用台积电和中芯国际的工艺,如红米9a采用展锐的t7510,展锐用中芯国际12nm工艺,这样一年就有几千万片的销量,达到规模应用,这样国产产业链才能更成功。

先给出结论,再说原因。大概率不会推动国内半导体发展。原因如下:

一、这个12纳米的小规模量产,是中芯国际的公司行为。也就是说,这是公司的专属技术,不是科学研究机构的成果,因此这个12纳米的生产技术不会无偿扩散。中芯国际一定会想办法将这一先进工艺利益最大化。很显然技术扩散不利于利益最大化,当然就不可能轻易技术扩散了。

二、12纳米技术所使用的关键设备材料都是外国产品,单独12纳米工艺的突破,不具有推广性。因为想要模仿中芯国际的工艺,必须在人财物方面都达到与中芯国际类似的高度。现在还没有一家国内公司可以与中芯国际在技术和人才上比较,因此是想推广也没可能推广。

三、这个12纳米制程技术,目前只是小批量的量产实验,成本极高,很可能没有商用化的前途,现在说推广还是太乐观。如果这个技术始终无法跨越成本线,就属于失败的量产了。在还没有确认量产成功之前,就说推广是很不负责的事情,也没有其他公司会跟进。

四、最后,12纳米芯片的制程中使用了太多国内不能控制的设备和材料,一旦推广,极有可能形成新的卡脖子问题。芯片投资极大,一旦钱投进去,外国供应商就可以随意控制价格和供应量,属于自己往敌人枪口下撞的行为,还不如回头踏踏实实地去搞28纳米的全国产化来的实际。

综上四个理由,这次中芯国际在上海的12纳米芯片小批量量产属于孤立事件,没有什么可推广的意义。

传上海微电子研发出11nm光刻机,请问是真的吗?有谁知道?

据报道称:上海微电子将在2021年交付采用ARF光源制程工艺为28纳米的光刻机,并且次光刻机在经过多次曝光之后,可以制造出11纳米制程的芯片。目前来看,这个消息应该是真的。也就是说,国内在2021年,就有自己制造的生产28纳米制程芯片的光刻机了。虽说,还不能与阿斯麦公司的极紫外EUV光刻机相比,但是足以推进我国工业芯片和军用芯片的性能向前迈一大步了。

按光源来分的话,光刻机已经发展了五代。第一代是采用波长为436纳米的g-line光源的光刻机,其制程工艺节点为800纳米-250纳米;第二代采用波长为365纳米的i-line光源的光刻机,其制程工艺节点也是800纳米-250纳米;第三代采用波长为248纳米的KRF光源的光刻机,其制程工艺节点为180纳米-130纳米;第四代也就是波长为139纳米的Arf光源的光刻机,其制程工艺节点为130纳米-65纳米,45纳米-22纳米;第五代也就是波长为13.5纳米的EUV光源的极紫外光刻机,其制程节点为22纳米-7纳米。

而上海微电子将在2021年交付的也就是第四代光刻机,制程工艺节点为28纳米。其实上海微电子与2007年制造了制程工艺节点为90纳米的光刻机,迄今过去了13年。经过14年的发展,再次拿出第四代光刻机也是很正常的。虽说,我国现在无法制造出二氧化碳EUV光源,但是在固体深紫外光源的研发上是处于国际领先地位的,最明显的例子就是KBBF晶体。

另外光刻机比较重要的镜头,国内也是可以自制的。长春光机所于2016年研发出了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统。清华大学也在2014年研发出掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到2.2nm,4.7nm。所以说,光刻机最重要掩膜台和工作台,镜头组,光源都可以由国内单位自己制造出来,那么上海微电子研制出制程工艺为28纳米的光刻机也没有什么可怀疑的。只是在明年交付之后,芯片的良品率并不会一下子就上去,还要过段时间才可以提升上去。

另外,上海微电子即将交付的光刻机,在经过多次曝光之后,制程工艺还可以提高到11纳米。这样一来,对那些芯片并不急需,但要求制程工艺的公司来说,也是一个好消息。毕竟国内有了这种光刻机,就不必在受到国外的制裁了。对于EUV光源,我国还需要加大研发力度,争取早日取得突破。只要光源突破之后,那剩下的就没有什么太大的难题了

由此可知,上海微电子交付28纳米制程工艺的光刻机有较大意义。

让你失望了,上海微电孑没有研制出11纳米的光刻机。但是,再告诉你一个好消息,明年,上海微电子将研制出28纳米的光刻机,经过多次光刻后,能精确到11纳米。再告诉你个更大的好消息,我们国家的实验室里巳经研制成功了9纳米光刻机,虽然,工厂化量产还得多年以后。相信.,上海微电子所一定会不辱使命,在光刻机领域大展伸手,舞出明天中国光刻机的一片希望之所。

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